液相外延(liquidphaseepitsxy)

一種半導(dǎo)體薄膜材料制備方法。是在飽和溶液中的單晶襯底上外延生長(zhǎng)單晶薄層的方法，簡(jiǎn)稱LPE法。生長(zhǎng)晶體的驅(qū)動(dòng)力是溶液的過(guò)飽和度。當(dāng)襯底與溶液接觸時(shí)，若溶液處于過(guò)飽和狀態(tài)則會(huì)有溶質(zhì)從溶液中析出。條件適宜時(shí)，析出的溶質(zhì)就會(huì)在襯底上生長(zhǎng)出外延層。使溶液形成過(guò)飽和的方法很多，在化合物半導(dǎo)體液相外延工藝中常用降溫(瞬態(tài)生長(zhǎng))或形成溫差(穩(wěn)態(tài)生長(zhǎng))來(lái)實(shí)現(xiàn)溶液過(guò)飽和。瞬態(tài)生長(zhǎng)又分為平衡冷卻、過(guò)冷、步冷和兩相溶液冷卻法，依據(jù)溶液與襯底接觸形式不同，液相外延生長(zhǎng)又可分為傾斜舟法、滑動(dòng)舟法、浸漬法、滾動(dòng)法等。

液相外延的優(yōu)點(diǎn)是：(1)生長(zhǎng)設(shè)備比較簡(jiǎn)單；(2)有較高的生長(zhǎng)速率；(3)外延層的摻雜劑選擇范圍廣；(4)操作方便、安全；(5)能較精確控制外延層組分和生長(zhǎng)較厚的外延層；(6)外延層的位錯(cuò)密度較襯底低。

液相外延已廣泛用于生長(zhǎng)高質(zhì)量的Ⅲ一V族化合物及其多元固溶體。許多微波、激光、發(fā)光、太陽(yáng)能電液ye池、霍爾器件等所需材料均可采用LPE方法制備。液相外延層表面形貌一般不如氣相外延好。