真空蒸發鍍膜法

這一方法是湃澎霍夫1960年首先提出使用的。所用的設備簡圖如圖1所示，把拋光的試樣面對盛放蒸發材料的高熔點舟的對面，抽真空到達約5*10^-6mm汞柱（10^-5mbar），電阻加熱，當達到所要求的溫度，鍍膜材料蒸發，均勻地沉積在試樣表面，給定的蒸鍍時間或膜厚監測標志達到后，關閉電源停止蒸發過程。也可在蒸發過程改變加熱電流，調整蒸發速度，得到最佳蒸發鍍膜。為了得到楔形鍍膜，試樣表面的安放應與蒸發軸成一定角度。如果試樣要得到均勻鍍膜，試樣要垂直于蒸發軸，如圖1所示。

圖1真空蒸發鍍膜的設備簡圖