二次再結(jié)晶(secondaryrecrystallization)

又稱二次重結(jié)晶、異常晶粒長大，或不連續(xù)長大。是指少數(shù)大晶粒在小晶粒消耗時成核長大的過程。因為晶粒大于6條邊界時邊界向內(nèi)凹，而晶粒小于6條邊界時邊界向外凸。凸面的界面能大于凹面的界面能，因此晶界向凸面曲率中心移動，結(jié)果小于6條邊的小晶粒縮小，甚至消滅，而大于6條邊的大晶粒異常長大。

當(dāng)正常的晶粒生長由于夾雜物或細(xì)孔等的阻礙作用而停止以后，如果在均勻基相中有若干大晶粒，其晶粒邊界比鄰近晶粒的邊界多得多，晶界曲率也較大，大晶粒的界面能較小晶粒低，在界面能驅(qū)動下，大晶粒晶界就可以越過氣孔或夾雜物而進(jìn)一步向鄰近曲率半徑小的小晶粒中心推進(jìn)，而使大晶粒成為二次再結(jié)晶的核心，不斷吞并周圍小晶粒而迅速長大，直至與鄰近大晶粒接觸為止。

晶粒二次再結(jié)晶生長時，氣孔都維持在晶界上或晶界交匯處；即二次再結(jié)晶時氣孔常被包裹到晶粒內(nèi)部。

為了得到致密的燒結(jié)料，制止二次再結(jié)晶是重要的。引入適當(dāng)添加劑能制止或減慢晶界的遷移，從而使氣孔排除，甚至可制得完全無氣孔的多晶材料。