金漿料(goldpaste)

含金的貴金屬漿料，為厚膜微電子工藝使用的-種導電材料。按功能相的組成可區分為：(1)純金。(2)金和5％～lO％鈀或鉑的混合物。(3)金鈀(25％～30％)和金鉑(18％～22％)漿料。金漿料通過絲網漏印、燒結得到導體。由粘結劑粘結到基體上。純金導體的方阻小于6mΩ/口，含少量鈀或鉑的方阻小于10mΩ/口。由粘結劑的結合機理可區分為：(1)鉛、鈣、鋇、鋅的硼硅酸鹽系的玻璃粘結。(2)氧化銅、氧化鎘系的化學反應粘結。燒結時與基體材料發生反應生成尖晶石族化合物，形成分子鍵。由于氧化物總量僅為功能相的1％，可得到導電性優良的金導體。(3)結合上述兩種功能的混合粘結。另有-類低溫固化的金漿料，主要成分是金粉、填料、樹脂和溶劑。作為導電膠用來粘結半導體芯片，分直接起導電作用的歐姆接觸和非歐姆接觸兩類。

金漿料常用于半導體集成電路片硅、鍺材料的共晶連接。含少量鈀或鉑的金漿料，冶金學活性下降，作為厚膜電阻器的端接材料。導體可用鉛錫焊料焊接。金鈀漿料和金鉑漿料應用于高可靠的電子線路中，作為電阻器的端接材料和厚膜電容器的下電極，可以忽略燒結時相互間的擴散和反應。金鉑漿料特別推薦用于分立元件用鉛錫焊料焊接而又經常更換元件的部位。由于鈀或鉑的含量較高，燒結后導體的方阻值也較高，分別約為80和90mΩ/口。

大規模集成電路對封裝技術有很高的要求，不斷發展著大尺寸、高密度布線和多層化的基板。20世紀80年代，發展了金漿料-介質漿料多層印刷燒結體系，基板尺寸100mm×100mm，金導體的線寬和間距為125μm。90年代發展了尺寸達225mm×225mm的玻璃陶瓷多層基板，有78層，其中13層為金導體，已安裝100塊超大規模集成電路芯片，應用于巨型計算機。金漿料由于它優良的導電性和長期穩定性，在集成電路的發展中始終有著重要的地位。