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貴金屬

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含銀的貴金屬漿料,是電子工業(yè)中最早為浸涂和絲網(wǎng)漏印工藝使用的一種導(dǎo)電材料。大致可分為:(1)純銀漿料。粘結(jié)劑是3%~10%的鉛、鉍硼硅酸鹽玻璃,由有機(jī)載體調(diào)成漿料,燒結(jié)溫度低的500oC,高的850oC。根據(jù)用途的不同,銀含量低的約50%,高的可達(dá)85%。高含銀量的漿料,方阻小于2mΩ/口。(2)以銀為基的銀鈀漿料。含鈀量低的2%~5%,高的18%~30%,燒結(jié)溫度850oC,形成組織致密的銀鈀固溶體合金。含鈀量高的銀鈀漿料,方阻值的變化范圍在20~70mΩ/口。(3)銀鉑漿料。含鉑量小于5%,燒結(jié)溫度850℃,方阻≤4mΩ/口。(4)聚合物銀漿。片狀銀粉與樹脂、溶劑的混合物,低溫干燥、固化。

銀漿用作云母和鈦酸鋇陶瓷電容器的電極,厚膜電容器的上電極。歐姆接觸銀漿作為硅太陽能電池的柵極和正溫度系數(shù)陶瓷熱敏電阻的電極。還有一類銀漿作為片式元件——電阻器、電容器和電感器的端電極,能經(jīng)受鍍鎳、鍍鉛錫合金等電化學(xué)處理。銀鈀漿料主要應(yīng)用于厚膜電路,含鈀20%~25%的銀鈀漿料,通常使用SnPbAg36-2焊料焊接,能抗熔融焊料侵蝕,在高濕度的直流電場(chǎng)中有明顯的抗銀遷移性。銀鉑漿料在微波集成電路中代替金漿料使用。它的導(dǎo)電性、可焊性比銀鈀漿料要好;用少量鉑代替鈀后,具有同等的抗熔融焊料侵蝕性。聚合物銀漿有可網(wǎng)印和可浸涂的兩類。第一類應(yīng)用于:(1)混合集成電路的制作,作為導(dǎo)電膠代替共晶低共熔組分連接半導(dǎo)體集成電路芯片;(2)制作觸膜開關(guān)、撓性電子線路和碳膜電(阻)位器端接。第二類用來引出固體鉭電容器的陽極。貴金屬漿料中銀漿料是較廉價(jià)的,由于它優(yōu)良的導(dǎo)電性、可焊性和與導(dǎo)線的連接性,電子工業(yè)中一直得到廣泛的應(yīng)用。純銀漿料的不足之處,通過添加元素、粘合劑組分等的研究不斷得到改進(jìn)。

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