化學束外延(chaemicalbeamepitaxv，CBE)

一種半導體薄膜材料制備方法。化學束外延(CBE)是集分子束外延(MBE)和金屬有機化學氣相外延(MOVPE)二者之優點而發展起來的新型外延生長技術，首先用于化合物半導體薄膜及其異質結構的外延生長。外延在高真空中進行，進入真空生長室的金屬有機化合物和非金屬氫化物等氣態反應劑通過幾個噴口形成分子束流，直接噴向加熱的襯底表面，經過吸附、表面移動、分解和脫附等一系列物理和化學過程，組成外延膜的原子便在襯底上有序地排列形成單晶薄膜。

在CBE中使用氣態源的優點是可以精密控制束流，也可以先將某幾種源混合后再形成分子束，可獲得組分準確而又均勻的外延層。使用擋板來開關束流，易于獲得超薄層和突變異質結構材料，包括量子阱和超晶格結構材料。高真空的生長環境易于與晶體生長過程的原位監測技術(如高能電子衍射)和其他高真空薄膜工藝(如離子注入)相結合。目前利用CBE技術已研制出多種高質量的Ⅲ—V族和Ⅳ族半導體材料，在Ⅲ—V族微電子和光電子器件研制上很有吸引力。但cBE設備昂貴，金屬有機化合物的使用可能在外延層中引入碳沾污。